经历：

华中科技大学工学学士，电子科学与技术专业，2013.09 ~ 2017.06

中国科学院微电子研究所工学博士，微电子学与固体电子学专业，2017.09 ~ 2022.06

华为技术有限公司，海思半导体业务部，2022.08 ~ 2025.02

研究方向：

新型存储材料与器件，可靠性表征及优化，硬件安全应用研究

成果奖励：

中科院王守武奖学金（2022年度）

北京市优秀毕业生（2022年度）

代表作：

发表论文(*为通讯作者，#为共一作者)

[1] Ding Q, Jiang H, Li J, Liu C, Yu J, Chen P, Zhao Y, Ding Y, Gong T, Yang J*, Luo Q, Liu Q, Lv H, Liu M. Unified 0.75 pJ/Bit TRNG and attack resilient 2F 2/Bit PUF for robust hardware security solutions with 4-layer stacking 3D NbO x threshold switching array. in 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 39.2. 1-39.2. 4 (IEEE, 2021).

[2] Ding Q, Gong T, Yu J, Xu X, Li X, Lv H*, Yang J, Luo Q, Yuan P, Zhang F, Liu M. Investigation of weight updating modes on oxide-based resistive switching memory synapse towards neuromorphic computing applications. Science China Information Sciences 64, 219402 (2021).

[3] Yang J#, Ding Q#, Gong T, Luo Q, Xue X, Gao Z, Yu H, Yu J, Xu X, Yuan P, Li X, Chung S, Lv H*, Liu M*. Robust true random number generator using stochastic short-term recovery of charge trapping FinFET for advanced hardware security. in 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology 1–2 (IEEE, 2020).

[4] Yang J, Chen D, Ding Q, Fang J, Xue X, Lv H, Zeng X, Liu M. A novel PUF using stochastic short-term memory time of oxide-based RRAM for embedded applications. in 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 39.2. 1-39.2. 4 (IEEE, 2020).